Шкавро Анатолій Григорович

Шкавро Анатолій Григорович

1953 р. н., кандидат фізико-математичних наук, доцент

У 1976 році закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту, каф. фізики напівпровідників, 1986 спец. факультет зі спец. “інтегральна та функціональна мікроелектронна техніка”. В Київ. ун-ті: 1976-78 стажист-дослідник, 1978-81 асп., 1981-86 мол. наук. співроб., 1986–90 асист., 1990 доц. каф. фізики напівпровідників, заст. зав. каф. 1985 захистив канд. дис.“Исследование физических основ надежности контактов алюминий-кремний с барьером Шоттки” (наук. кер. проф. В.І.Стріха). Вчене звання доц. присвоєно у 1992. Осн. напрями наук. досліджень – формування, робота та деградація напівпровідникових структур з бар’єром Шоткі, флуктуаційні явища в напівпровідниках та напівпровідникових структурах, органічні напівпровідники.

Читав та читає такі лекц. курси: “Фізика напівпровідників”, “Методи дослідження напівпровідників”, “Основи напівпровідникової електроніки”, “Статист. радіофізика”, “Напівпровідникова електроніка”, “Фіз. основи мікроелектроніки”, “Фіз. основи надійності напівпровідникових приладів та інтегральних схем”, “Мікропроцесорна техніка”, “ЕОМ експеримент та машинна обробка інформації” та ін. Організував практикуми з машинного моделювання (разом з Ільченко В.В.), з мікропроцесорної техніки, з автоматизації експериментальних досліджень.

На сьогодні є відповідальним за практикум з фізики напівпровідникових приладів. Вчен. секретар спец. вч. рад К 068.18.01 (1990-1995), Д 26.001.31 (1996–2004) (спеціальності: радіофізика, фізика плазми, фізика напівпровідників та діелектриків), з 1997- вч. секретар секції Комітету з Держ. премій України в галузі науки і техніки. Співавтор понад 50 наук. праць та 4 посіб. Осн. праці: Практичні рекомендації до проведення вимірювань у фізиці напівпровідників. Загальні методи боротьби із завадами та наведеннями. Навч. посіб. К., 2002 (у співав.); Практикум з фізики напівпровідникових приладів. К., 2007; Определение параметров p+-слоя в контактах Al-p+-слой-Si // Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. К., 1979 (у співав.); Aging and degradation of structures aluminium – silicon with a Schottky barrier after a pulsing laser exposure // Functional Materials 2003.10. №3 (in co-authershup). Літ-ра: Радіофізичний факультет. 50 років: Довідник. К, 2002.