Стріха Віталій Іларіонович

Стріха Віталій Іларіонович.jpg

1931 р. н., доктор фізико-математичних наук, професор

Народився в Києві в інтелігентній українській родині. Батько Іларіон Панасович Стріха був кандидатом наук, провідним у Радянському Союзі фахівцем із механічної обробки деревини. Мати Наталія Андріївна Бурчик усе життя пропрацювала геологом, описала в Україні близько сотні сімейств будівельних глин. Сімейне життя Іларіона Панасовича та Наталії Андріївни не склалося — перед війною вони розлучилися.

Жили Стріхи в Києві на Лук’янівці — на вулиці Дикій (нині Студентський провулок). Через війну Віталій середню освіту здобув, коли йому вже було 19 років: 1950 року із золотою медаллю закінчив Київську середню школу № 55. Того ж року він вступив на фізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка.

1952 року Віталій Стріха продовжив навчання на новоствореному радіофізичному факультеті Київського університету, який закінчив 1955 року. Відтоді й до останніх днів життя наукова й педагогічна робота Віталія Стріхи пов’язана саме з цим навчальним закладом, де він пройшов шлях від інженера до керівника створеної ним проблемної лабораторії фізики та техніки напівпровідників (1964–1999), завідувача кафедри фізики напівпровідників (1975–1996), проректора з навчальної (1984–1985) та наукової (1985–1990) роботи.

Київський університет кілька разів висував Стріху для голосування в члени-кореспонденти Академії наук України. І щоразу йому не вистачало кількох голосів для необхідних 2/3.

Упродовж останніх восьми років життя головною справою для Віталія Стріхи стала заснована ним Академія наук вищої школи України. Він вірив, що майбутнє саме за такими громадськими науковими асоціаціями, які допоможуть науковій спільноті проявити ініціативу. Стріха також був переконаний: перспектива — за університетською системою організації науки. Як доказ наводив цифру: понад 80 % нобелівських лауреатів працювали саме в університетах, де залучення студентської та аспірантської молоді створює особливе живильне середовище для появи нових наукових ідей.

Закінчив кафедру фізики напівпровідників Київського державного університету ім. Т. Г. Шевченка в 1955 р. і був прийнятий на роботу в наукову лабораторію радіофізичного факультету. Пройшов шлях від наукового співробітника, старшого наукового співробітника, завідувача лабораторії до професора, завідувача кафедрою фізики напівпровідників (1975–1996), з 1984 р. по 1990 р. займав посаду проректора з наукової роботи Київського університету.

У 1962 р. В. Стріха захистив кандидатську дисертацію «Дослідження фізичних процесів у точкових діодах і їхній зв’язок із властивостями напівпровідника» (науковий керівник — професор Вадим Лашкарьов, один із фундаторів напівпровідникової науки в Україні). З 1970 р. В. Стріха — доктор фізико-математичних наук[1] (дисертація «Вивчення фізичних властивостей контакту метал-напівпровідник»), з 1973 р. — професор.

На радіофізичному факультеті КДУ імені Т. Шевченка В. Стріха підготував і до останніх днів життя читав сім нових спецкурсів (серед них найголовніші — «Контактні явища у напівпровідниках», «Методи досліджень напівпровідників»). Читав також лекційні курси в низці іноземних університетів (Римський університет, Італія, Ягеллонський університет у Кракові, Польща, «Еколь Сентраль» у Ліоні, Франція, Братиславський університет, Словаччина, та інші).

Основний напрямок наукової діяльності — вивчення фізичних основ роботи та застосування контактних структур і, головним чином, контакту метал — напівпровідник з бар’єром Шотткі. Вперше експериментально обґрунтована фізична модель реального контакту, в якій враховані зазор між металом та напівпровідником та поверхневі стани в контакті. На базі цієї моделі розвинено теорію реальних контактів, передбачено ряд нових фізичних ефектів: зміна вольтамперних характеристик з частотою, слабка залежність ємності від напруги, ділянки вольтамперних характеристик з від’ємним опором та інше. Розроблена теорія роботи надвисокочастотних приладів з бар’єром Шотткі, сонячних елементів на базі контакту метал — напівпровідник і на основі результатів теорій проведена оптимізація параметрів цих приладів. На основі контактних багатошарових структур створений та досліджений новий клас приладів — біосенсори. Розроблена теорія проходження темнових та світлових струмів у багатошарових структурах із поруватим кремнієм.