Нінідзе Георгій Карлович

Нінідзе Георгій Карлович1941 р. н., кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Закінчив 1964 радіофізичний факультет Київ. ун-ту, 1971 – асп-ру цього ун-ту. Після закінчення працював в ун-ті на посаді мол. наук. співроб., 1972-1996 – старш. наук. спіроб. каф. фізики напівпровідників, з 1996 – старш. наук. співроб., зав. лаб. „Автоматизація наук. досліджень” каф. напівпровідникової електроніки. 1976 захистив канд. дис. „Дослідження імпедансу приповерхневої області напівпровідників” (наук. кер. проф. В.М.Добровольский ).

Осн. напрями наук. досліджень – вивчення механізмів переносу носіїв струму вздовж та впоперек поверхні шаруватих напівпровідникових структур, в тому числі із надтонким і тунельно-тонким діелектриком; ефектів, пов’язаних із протіканням струмів надвисокої густини в екстремально великих електричних полях в структурах “кремній на ізоляторі”; ефектів пам’яті в таких структурах; наукове супроводження розробки на основі цих ефектів перших в СРСР енергонезалежних запам’ятовуючих мікроелектронних елементів та схем.

Він був чл. секції “Напівпровідники і мікроелектроніка” Наук. ради НАНУ з проблеми “Фізика напівпровідників”, головою секції “Напівпровідники та мікроелектроніка” Республ. товариства радіотехніки, електроніки та зв’язку. Був заст. зав. каф. з наук. роботи, вчен. секретарем каф. Автор понад 75 наук. праць, опублікованих у провідних наук. журналах, авт. свідоцтв. Осн. праці: High-amplitude high-frequency oscilation of temperature, electron-hole oair concentration, and current in silicon-on-insulator structures //J.of apl.phys., V.88 (in co-authorship); Self-organization in SOI FET // Microelectronic Engineering,2004. 72 (in co-authorship); Elektron-Hole Rair Reversed Drift in SOI Structure. In: Progress in Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, eds. F. Balestra et al. Kluwer Academic Publisher, 2002 (in co-authorship). Літ-ра: Радіофізичний факультет. 50 років: Довідник. К., 2002.