Кандидат фізико-фатематичних наук

Асистент кафедри квантової радіофізики та наноелектроніки факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем Київського національного університету імені Тараса Шевченка 

1975 року народження.

 В 1999 році закінчив радіофізичний факультет Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Спеціальність – радіофізика і електроніка, кваліфікація – радіофізик, інженер-дослідник.

Кандидат фізико-математичних наук з 2019 року. Дисертація «Дослідження взаємодії кисню з поверхнею кремнію (001), вкритою передадсорбційними шарами» за спеціальністю 01.04.04 – «фізична електроніка» захищена у спеціалізованій Вченій раді Д. 26.159.01 Інституту фізики НАН України.

Працювати в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка почав з 1999 року на посаді інженера-електроніка ІІІ-ої категорії, з 2000 – 2007 р.р. – на посаді інженера-електроніка І-ої категорії, 2007 – 2018р.р. на посаді провідного інженера НДЛ «Електронної спектроскопії», 2019 – 2021р.р. на посаді провідного інженера НДЛ «Оптичної і мікрохвильової обробки інформації та теорії середовищ». З 2021 року почав працювати на посаді асистента кафедри радіотехніки та радіолектронних систем. З січня 2022 року працює на посаді асистента кафедри квантової радіофізики та наноелектроніки.

Наукова діяльність присвячена вивченню механізмів утворення і розриву хімічних зв’язків в процесі реакцій утворення зв’язків кисень-адсорбат та кисень-кремній в системах М/Si(001) (де M = Sb, Cr, Ті, Mn), у сплаві германій-кремній при кімнатній температурі. Можливість контрольованого локального окислення поверхні кремнію та його сполук важливе з прикладної точки зору в технологіях мікро- та наноелектроніки. Саме маніпулювння хімічною активністю локальних ділянок поверхні за допомогою субмоношарових адсорбатів дає можливість керувати одним з ключових процесів мікроелектронної технології — контрольованим окисленням поверхні Si та його сполук. Ще один напрямок досліджень прикладного характеру, що пов’язаний з адсорбцією субмоношарових кількостей чужорідних атомів і наступним оксидуванням, — незвичайні магнітні властивості субнанометрових плівок окисленних силіцидів деяких перехідних металів, зокрема хрому, титану та мангану, які можуть знайти застосування в новітніх структурах, створених на поверхні кремнію.

Серед одержаних результатів особливо можна виділити такі:

  1. Запропоновано метод визначення коефіцієнту прилипання молекулярного кисню на поверхні Si(001) в присутності субмоношарового покриття металу.
  2. Вперше одержано методом іонізаційної спектроскопії іонізаційні лінії стибію N4,5, титану М1 та М2,3, хрому М2,3, мангану М2,3.
  3. Експериментально досліджено механізми силіцидоутворення та кінетики окислення в системах Cr/Si(001), Ti/Si(001) та Mn/Si(001) для встановлення механізмів формування силіцидів і утворення оксидів та субоксидів.
  4. Встановлено, що субмоношарові плівки Ті та Cr на поверхні Si(001) виступають в якості пришвидчувача процесу окислення. Каталітичні властивості субмоношарової плівки титану суттєво гірші, ніж відповідної плівки хрому.

Результати відкривають перспективи для цілеспрямованого контрольованого локального окислення поверхні кремнію та його сполук.

Має 45 публікацій, з яких 10 – у фахових журналах (5 статтей у виданнях, що входять до наукометричної бази даних Scopus); 1 – у реферованому збірнику наукових праць; 34 – тези доповідей.

Основні праці (у фахових виданнях):

  1. O.S. Bauzha, S.P. Zagorodnyuk, B.B. Sus, and Y.A. Len, “Magnetic Properties of GaSb Quantum Dots Include Spin-Orbit Interaction,” in 2021 IEEE 11th International Conference Nanomaterials: Applications & Properties (NAP), Odessa, Ukraine, Sep. 2021, pp. 1–5. doi: 10.1109/NAP51885.2021.9568519.
  2. T.V. Rodionova, P.M. Lytvyn, Yu.A. Len, S.P. Kulyk. Topological Analysis of the Effect of Annealing on the Grain-Boundary Structure of Polysilicon Films // Journal of  nano- and electronics physics. – 2021. – V.13, № 6. – 06020(4рр). DOI: 10.21272/jnep.13(6).06020
  3. Y. Len and O. Prokopenko, “Oxidation of Mn/Si(001) System Over a Wide Range of Exposures,” 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kyiv, Ukraine, 2020, pp. 255-258, doi: 10.1109/ELNANO50318.2020.9088750.
  4. Коваль І.П. Взаємодія молекулярного кисню з поверхнею Si(001) вкритою моношарами хрому та титану. / І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін, М.О. Свішевський, М.Ю. Яковенко // Український фізичний журнал. – 2015. – Т.60, № 1. – С.48 – 53. https://doi.org/10.15407/ujpe60.01.0046
  5. Бутарєв К.О. Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі(001) / К.О. Бутарєв, І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін //  Журнал нано- та електронної фізики. – 2013. – Т.5, № 1. – 01025(4cc).
  6. Бутарєв К.О. Вплив відпалу на окислення субмоношарової плівки Cr на Si(001) / К.О. Бутарєв, І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Вісник Київського університету. Сер.фіз.-мат. науки. – 2012. – Випуск № 4. – С.239 – 242.
  7. Коваль І.П. Початкові стадії взаємодії молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою субмоношаром хрому / І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Вісник Київського університету. Сер.фіз.-мат. науки. – 2007. – Випуск № 4. – С.255 – 258.
  8. Коваль І.П. Дослідження взаємодії кисню з поверхнею сплаву германій-кремній методами електронної спектроскопії / І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Вісник Київського університету. Сер.фіз.-мат. науки. – 2006. – Випуск № 1. – С.275 – 283.
  9. Афанас’єва Т.В. Взаємодія молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою субмоношаром сурми / Т.В. Афанас’єва, І.П. Коваль, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Український фізичний журнал. – 2005. – Т.50, № 7. – С.685 – 690.
  10. Коваль І.П., Лень Ю.А., Находкін М.Г. Взаємодія молекулярного кисню з поверхнею Si(001), покритою сурмою. // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. / Збірник наукових праць. – Київ, Академперіодика. – 2005. – Т.3, № 4. –  С.941 – 947.
  11. Коваль І.П., Лапоша В.В., Лень Ю.А., Находкін М.Г. Адсорбція молекулярного кисню на поверхні Sb/Si(001). // Вісник Київського університету. Сер.фіз.-мат. науки. – 2002. – Випуск № 4. – С.307 – 314.
  12. Бех І.І., Лень Ю.А., Лушкін А.Є. Роль домішки оксиду скандію в поліпшенні емісійних властивостей металопористих катодів. // Вісник Київського університету. Сер. Радіофізика та електроніка. – 2001. – Випуск № 3. – С.16 – 20.