1954 р. н., кандидат фізико-математичних наук, доцент
Закінчила 1960 кафедру фізики напівпровідників радіофізичного факультету Київ. ун-ту, 1967- асп-ру каф. фізики напівпровідників. В Київ. ун-ті: старш. інж. наук. лаб., асист. (з 1968), 1986 – доц. каф. фізики напівпровідників. Захистила 1969 канд. дис. “Исследование некоторых свойств оксидных пленок и их влияние на электронные процессы на поверхности полупроводников” (наук. кер.- проф. В.І.Стріха). Осн. напрям наук. досліджень пов’язаний з фотоелектричними явищами в структурах метал-напівпровідник. Розглянуто різні механізми проходження фотоструму в таких структурах, проаналізовано вплив товщини проміжного шару та поверхневих електронних станів як на саму величину фотоструму, так і його залежність від частоти. Отримані результати використовувались для розробки швидкодіючих фотодіодів та сонячних елементів. Читала курси лекцій: “Фізика напівпровідників та напівпровідникова електроніка”, “Напівпровідникові прилади”, “Основи оптоелектроніки”, “Напівпровідникова електроніка”, “Технологія напівпровідникових матеріалів та приладів”, “Твердотільна мікроелектроніка”, “Контактні явища в напівпровідниках”, “Напівпровідники та відновлювані джерела енергії”.
Брала участь в модернізації та постановці нових лаб. робіт в практикумах “Напівпровідникові прилади” та “Технологія напівпровідникових структур”, за який і відповідала протягом 9 років. Протягом майже 20 років була вчен. секретарем каф. фізики напівпровідників. За монографію “Солнечные єлементы на основе контакта металл-полупроводник” (у співавторстві з проф. В.І.Стріхою) отримала премію імені Тараса Шевченка Київ. ун-ту. Соросівський доц. (1995). Автор понад 100 наук. статей, 4 метод. розробок, 1 монографії, 1 брошюри та 8 авт. свідоцтв. Осн. праці: Slow relaxation of charge on germanium surface // Surface Science, 1973. V.38, (in co-authorship); Характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки при учете токов через поверхностные состояния // Гелиотехника, 1984. № 6 (у співавт.); Характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки при наличии неоднородности // Гелиотехника, 1986. № 3 (у співавт.); Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник. СПб., 1992 (у співавт.); Futures of metal-insulator semiconductors diodes with tunnel insulator subjected to UV soaking // Thin Solid Films, 1999. 346 (in co-authorship).