1954 р. н., кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
У 1972 році закінчив радіофізичний факультет Київ. ун-ту. Почав працювати на посаді старш. інж. проблемної лаб. фіз. електроніки. 1979 – мол. наук. співроб., старш. наук. співроб. У 1994 захистив канд. дис. “Електронні та адсорбційні властивості грані Si(111) з різним ступенем упорядкування” (наук. кер. П.В.Мельник). Займався дослідженням фіз. основ запису інформації на термопластичних носіях, зокрема, особливостями накопичення заряду в діелектричних плівках, розробкою та створенням комплекс. експерим. установки, де вперше в ун-ті, поряд з вже існуючими в лаб. методиками електрон. спектроскопії та дифракції повільних електронів, була реалізована методика фотоелектронної спектроскопії в області вакуумного ультрафіолету. На цьому обладнанні проводить дослідження електрон. та адсорбційних властивостей атомарно чистих граней кремнію та германію.
Вперше дослідив електрон. та адсорбційні властивості низькоіндексних граней кремнію з різним ступенем упорядкування. Автор понад 60 наук. праць. Осн. праці: Определение средней глубины локализации заряда в диэлектри-ческих пленках // Радиотехника и электроника, 1975.Т.XX. №10 ( в соавт.); Влияние упорядочения на электронные и адсорбционные свойства Si(111)//Український фізичний журнал, 1991.Т.36, N2 ( в соавт.); Coadsorption of hydrogen and bismuth on the Si(111)-7×7 surface// Surf. Sci., 2000.V.454-456 ( in co-authorship); The model of photo- and field electron emission from thin DLC films// Materials Science and Engineering,2003.V.A353 (in co-authorship); Дослідження адсорбції Аu на поверхні Si(100) з різним ступенем розупорядкування //Металлофизика и новейшие технологи, 2004.Т.26. №12 (у співавтор.). Літ-ра: Радіофізичний факультет. 50 років: Довідник. К., 2002.