1931 р.н., доктор фіз.-мат. наук, професор, член-кореспондент НАН України, лауреат Державних премій України в галузі науки і техніки, заслужений діяч науки і техніки

Закінчив фізичний факультет Київського державного університету ім. Т. Г. Шевченка у 1955 р. Захистив докторську дисертацію в 1971 р., професор Київського національного університету імені Тараса Шевченка з 1974 р., обраний член-кореспрондентом НАН УКраїни в 1985 р.

Творчий шлях почався у 1955 р. старшим інженером наукової лабораторії напівпровідників радіофізичного факультету Київського університету. В 1956 р. вступив до аспірантури Інституту фізики АН УРСР, а після її закінчення працює молодшим науковим співробітником лабораторії поверхневих явищ. З 1960 р. і донині є співробітником Інституту фізики напівпровідників АН України, де пройшов шлях від молодшого наукового співробітника до керівника відділення «Фізики поверхні та мікроелектроніки».

Розпочавши систематичні дослідження фізичних явищ, які протікають на поверхні напівпровідників, він став одним з фундаторів і лідерів української школи фізики поверхні твердого тіла і мікроелектроніки. З 1962 р. під його керівництвом в Інституті напівпровідників НАН України почав інтенсивно розвиватися новий напрям в області твердотільної мікроелектроніки і фотоелектроніки. Проведені під його керівництвом теоретичні та експериментальні дослідження напівпровідникових шаруватих структур відкрили якісно нові можливості вивчення шаруватих систем зі складним профілем потенціального рельєфу.

Логічним розвитком цих експериментів став виконаний разом з учнями великий цикл робіт, присвячений явищам квантування енергії носіїв та переносу електронів і дірок у поверхневих каналах (останнім часом цей напрям отримав назву нанофізика). Йому належить ряд фундаментальних фізичних результатів. Ним вперше експериментально виявлені нові явища, такі, як поверхнева люмінесценція в напівпровідниках (1974 р.), підсилене планарне розширення нерівноважної двовимірної електронно-діркової плазми (1983 р.), підпорогове стимульоване випромінювання у двовимірних квантоворозмірних гетероструктурах (1996 р.), розщеплення зон у матеріалах з нульовою забороненою зоною при зв’язуванні точкових дефектів.

Останніми роками у його дослідженнях важливе місце займають оптичні та електричні явища в алмазоподібних вуглецевих плівках. Розробка теоретичних фізичних моделей матеріалів на основі вуглецю дозволяє прогнозувати властивості нових перспективних матеріалів, зокрема, твердіших за алмаз. Застосування алмазоподібних вуглецевих плівок дає змогу значно підвищити електронну польову емісію з напівпровідникових матеріалів. Ця наукова робота проводиться в активній співпраці із зарубіжними колегами з США, Німеччини та Франції.

Серед його учнів 11 докторів і 35 кандидатів наук. Веде активну науково-організаційну роботу. Протягом 10 років був заступником академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України, зараз є заступником голови наукової ради НАН України з проблеми «Фізика напівпровідників» і головою секції «Інтегральна електроніка» цієї наукової ради, головою секції «Електроніка і фотоніка» Українського комітету URSI, президентом Українського фізичного товариства, членом Українського відділення Міжнародного товариства оптичної техніки SPIE, членом Міжнародних електрохімічного та вакуумного товариств та членом редколегій багатьох періодичних видань.

У сфері постійного інтересу й уваги є не тільки наукові дослідження і розробки: він проводить також активну просвітницьку діяльність на ниві пропагування надбань української історії і культури, працюючи Головою осередку товариства «Просвіта» ім. Т. Г.  Шевченка.

Двічі Лауреат Державних премій України в галузі науки і техніки (1973 і 1998 рр.), лауреат премії НАН України ім. К. Д. Синельникова (1996 р.), йому присвоєно почесне звання «Заслужений діяч науки і техніки» (1992 р.). Науковий доробок викладено в 9 монографіях, 16 оглядах та брошурах та в понад 400 працях у провідних наукових журналах.


Повернутися до розділу «Персоналії «Л»