1903-1974 р.р., доктор фіз.-мат. наук, професор, завідувач кафедри, академік НАН України

У 1924 р. закінчив Київський народний інститут. Аспірант, викладач Київської науково-дослідної кафедри фізики в 1924-1927 рр.; вже в ці роки він проявив себе талановитим експериментатором. У 1925 р. разом із В. П. Лінником розробив оригінальний метод визначення коефіцієнта заломлення рентгенівських променів. Брав участь у створенні Інституту фізики АН України, де в 1929-1930 рр. завідував відділом рентгенофізики.

За запрошенням академіка А. Ф. Йоффе у 1930-1935 рр. керував лабораторією Ленінградського Фізико-технічного інституту, одержав піонерські результати про розподіл у кристалах електронної густини, які узагальнив у монографії «Дифракция электронов». У 1935 р. за ці дослідження йому був присуджений вчений ступінь доктора фізико-математичних наук без захисту дисертації. З 1939 р. його наукова і педагогічна діяльність пов’язана з фізикою напівпровідників, АН України та Київським університетом. У 1939-1960 рр. він керує відділом напівпровідників Інституту фізики АН України, а після створення на його базі Інституту напівпровідників (1960 р.) до 1970 р. працює його директором. За його ініціативою у 1956 р. було засновано «Український фізичний журнал», і він став його Головним редактором. У 1945 р. обраний академіком НАН України, у 1946-1948 рр. – голова відділу НАН України. В 1944-1952 рр. завідує кафедрою фізики Київського університету, а у 1952 р. створює першу в СРСР кафедру фізики напівпровідників, якою очолює до 1956 р.

Отримано принципові для фізики напівпровідників результати. Запропоновано метод термозонда, за допомогою якого виявлено p-n перехід у випрямлячах на закису міді (1941 р.), виявлено біполярну дифузію і дрейф електронів і дірок (1946 р.). Ним побудована загальна теорія фотоЕРС у напівпровідниках (1948 р.), відкрита інфрачервона люмінесценція закису міді, сверхлінійна фотопровідність сурм’янистого кадмію, виявлена об’ємна фотоЕРС у германії (1956 р.). У 1948 р. розпочато піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Вивчено зміну поверхневої провідності і контактної різниці потенціалів при адсорбції на поверхні молекул газів. Виведене співвідношення, що зв’язує їх з поверхневим вигином зон і зарядом.

У зв’язку з розвитком напівпровідникової електроніки у 1950 р. в Інституті напівпровідників і на кафедрі напівпровідників університету під йогол керівництвом почалися дослідження властивостей германію – у той час одного з основних матеріалів електроніки. У 1948-1970 рр. ним і його співробітниками було виконано фундаментальні і багатогранні дослідження фотоелектричних явищ у напівпровідниках: механізмів генерації і рекомбінації носіїв заряду, фотолюмінесценції, взаємодії напівпровідників із потоками іонізуючих частинок. Удосконалено створені раніше серністо-срібні елементи, розроблено фотоопір на основі сульфіда, а також селеніда кадмію і створено (1954 р.) перші в країні монокристалічні резистори.


Повернутися до розділу «Персоналії «Л»