1933 р.н., доктор фіз.-мат. наук, професор, лауреат Державних премій України в галузі науки і техніки

Закінчив кафедру фізики напівпровідників Київського державного університету iм. Т. Г. Шевченка у 1956 р. Після закінчення університету залишився працювати на кафедрі, де пройшов шлях від асистента до професора. Кандидатську дисертацію захистив у 1962 р. «Исследование некоторых явлений переноса носителей тока в электрическом и магнитном полях» (науковий керівник проф. В. І. Ляшенко). В 1974 р. захистив докторську дисертацію «Перенос электронов и дырок в полупроводниковых системах с пространственно распределенными характеристиками». Зараз працює провідним науковим співробітником в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.

Читав курси лекцій: «Методи дослідження напівпровідників», «Плазма твердих тіл», «Явища переносу електронів», «Фізика низькорозмiрних систем», «Сучасні наукові напрямки радіофізики», «Квантово-розмірні структури», окремі лекції з курсу «Актуальні проблеми радіофізики і електроніки». Поставив лабораторні роботи в практикумах з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів.

Основний напрям наукової роботи – дослідження плазми напівпровідників, явища переносу електронів та дірок, мікро- та наноелектронні структури, розробка засобів збирання напівпровідникових приладів. В результаті виявлено клас сильних ефектів в електронно-дiрковiй плазмі, що обумовлені зміною рухливостей носіїв заряду, та подібних явищ у р-n переході; високочастотні коливання температури напівпровідника; ефекти, обумовлені перерозподілом плазми магнітним полем; нові ефекти у структурах метал-туннельно прозорий діелектрик-напівпровідник. Розвинув теорію плоского електричного поля в інверсійних каналах напівпровідників у присутності магнітного поля, запропонував нові датчики магнітного поля, побудував теорію польового транзистора, в якій враховано дрейфовий та дифузійний струми. Запропонований метод визначення знаку носіїв заряду, їх концентрації та рухливості (метод струму Хола) успішно використовують у фізиці поверхні та дослідженнях високоомних напівпровідників та діелектриків. Під його керівництвом захищено 13 кандидатських дисертацій.

В 1966-1978 рр. був вченим секретарем Ради з науково-дослідної роботи студентів радіофізичного факультету. Він один з ініціаторів створення в університеті СКТБ «Тороїд» (1984 р.). Десять років був науковим керівником і головою НТР цього підрозділу. Двічі лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (1982 р. та 1997 р.), лауреат премії ім. К. Д. Синельникова Національної академії наук України (1989 р.), академік (1993 р.) та лауреат (1995 р.) нагороди Ярослава Мудрого в галузі науки і техніки Академії наук Вищої школи України, соросівський професор (1997 р.).

Є автором понад 190 наукових, методичних праць та винаходів, 1 підручника та 2 монографій. Деякі публікації за останні роки:

  1. DobrovolskyV.N. and LitovchenkoV.G. Surface electronic transport phenomena in semiconductors // Clarendon Press, Oxford, 1991, p. 1-220;
  2. Dobrovolsky V.N. The planar photomagnetic effect in SOI structure and magnetosensor based on it // Microelectronic Engineering. 1997. Vol. 36, № 1-4, p. 133-136;
  3. Dobrovolsky V.N. and Krolevets A.N. Theory of magnetic-field-sensitive metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 3, p. 1956-1960;
  4. Dobrovolsky V. , Rossokhaty V. and Cristoloveanu S. CONTUNT: Thin SOI Control Tunneling Transistor// Sol.-St. Electron. 2006. Vol. 50, p. 754-757;
  5. Dobrovolsky V. , Pavljuk S. , V. Rossokhaty and Cristoloveanu S. Silicon-on-Insulator Control Impact-Ionization-Avalanche Transistor // Appl. Phys. Let. 2006. Vol. 88, p. 073502-073504;
  6. Dobrovolsky V. N. and Sizov F. F. THz semiconductor hot electron bolometer// Proc. SPIE 2006. Vol. 6120, p. 612009-612013.


Повернутися до розділу «Персоналії «Д»